Модуль памяти Goodram < GR1600D3V64L11S/4G > DDR3 DIMM 4Gb < PC3-12800 > CL11
Модуль памяти GoodRam GR1600D3V64L11S/4G
Оперативная память Goodram (4 Гб x 1) DIMM LV DDR3 1600 МГц
Артикул\Код товара : #298136
- Группа Модули памяти Goodram
- Гарантия (мес) 36
- Вес (кг) 0.024
- Объем (л) 0.061
- Обновлено 2025-04-06 17:40:49
- НИКС - Компьютерный Cупермаркет полный каталог описаний
Артикул\Код товара
#298136
#298136
Технические характеристики Модуль памяти Goodram < GR1600D3V64L11S/4G > DDR3 DIMM 4Gb < PC3-12800 > CL11
| 1 | Описание | Модуль памяти GoodRam GR1600D3V64L11S/4G |
|---|---|---|
| 2 | Объем модуля памяти | 4 Гб |
| 3 | Количество модулей в комплекте | 1 |
| 4 | Частота функционирования | до 1600 МГц |
| 5 | Стандарт памяти | PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) |
| 6 | Пропускная способность памяти | 12800 Мб/сек |
| 7 | Латентность | CL11 |
| 8 | Memory rank | Single rank |
| 9 | Количество чипов памяти | 8 |
| 10 | Высота | 30 мм |
| 11 | Тайминги | 11-11-11-28 |
| 12 | Напряжение питания | 1.35 В (LV DDR3) |
| 13 | Размеры упаковки (измерено в НИКСе) | 16.2 x 4.7 x 0.8 см |
| 14 | Вес брутто (измерено в НИКСе) | 0.024 кг |
| 15 | Краткое наименование | Оперативная память Goodram (4 Гб x 1) DIMM LV DDR3 1600 МГц |
Xарактеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отражения в каталоге.
2020-03-04 21:45:18 2025-11-01 08:55:19 АКТУАЛЕН
Производитель/Адрес: Планет Технолоджи Корпорейшн. 11Ф., Не 96МетроМинqуан РД., К Синьдянь Н., Новый Тайбэй 231, Тайвань (Р. О. Ц)С. АОС Интернешнл (Европ) БВ, Барбара Строззилан 386 НЛ-1083 Амстердам, НидерландыAOC International (Europe) BV, Barbara Strozzilaan 386 NL-1083 HN Amsterdam The Netherlands Страна производства: Китай Импортер: ООО Гигамаркет г.Минск, ул. Грибоедова 1-191